Imec представил технологию, которая вдвое увеличит плотность размещения транзисторов - «Финансы и Банки»


Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET).
Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50% размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM.
Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируются классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем.
Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам.
Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом.
В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET).
Смотрите также:

Разработан двумерный транзистор на бумажной основе - «Финансы и Банки»
Команде ученых из Техасского университета удалось создать высокопроизводительные двумерные транзисторы на бумажной основе. По словам исследователей, их транзисторы могут быть использованы в сфере

Samsung начала выпуск чипов по 10-нанометровой технологии - «Финансы и Банки»
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска однокристальных систем по 10-нанометровой технологии FinFET второго поколения. Этот техпроцесс называется 10LPP (Low Power Plus).

Toshiba инвестирует $3,2 млрд в завод по производству карт флэш-памяти - «Финансы и Банки»
Тoshiba Corp. инвестирует около 360 млрд иен ($3,2 млрд) в строительство в Японии завода для производства карт флэш-памяти с трехмерной компоновкой ячеек. Капиталовложения будут осуществляться на

Sharp разрабатывает автомобильную систему кругового обнаружения пешеходов - «Финансы и Банки»
Корпорация Sharp собирается вывести на коммерческий автомобильный рынок передовую систему обнаружения пешеходов, обеспечивающую возможность кругового детектирования. Сообщается, что работа
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются