Новая разработка с магнитным полем поможет увеличить память устройств - «Финансы и Банки»
Ученые из Американского института физики представили альтернативный подход к хранению информации. В журнале Applied Physics Letters представлены сразу несколько возможных вариантов его реализации — они основаны на магнитно-электрическом эффекте, который позволяет электрическому полю переключать